【单选题】题干:产生直流高压的半波整流电路中,高压整流硅堆的额定参数主要有额定反峰电压和____。
A、额定整流电流
B、额定负荷电流
C、额定开断电流
推荐试题
1、【判断题】题干:产生直流高压的半波整流电路中高压保护电阻R用于限制试品放电时的放电电流。
A、正确
B、错误
2、【判断题】题干:产生直流高压的半波整流电路中高压保护电阻通常采用水电阻器。
A、正确
B、错误
3、【单选题】题干:产生直流高压的半波整流电路中____用于限制试品放电时的放电电流。
A、升压试验变压器T
B、高压硅堆V
C、保护电阻R
4、【判断题】题干:磁路是磁通F的闭合路径。
A、正确
B、错误
5、【判断题】题干:当温度升高时,金属导体的电阻减小
A、正确
B、错误
6、【单选题】题干:当温度升高时,金属导体的电阻____。
A、增大
B、减小
C、不变
7、【判断题】题干:当通过电阻R的电流I一定时,电阻R消耗的电功率P与电阻R的大小成正比。
A、正确
B、错误
8、【单选题】题干:当通过电阻R的电流I一定时,电阻R消耗的电功率P与____成正比。
A、电流I的大小
B、电导的大小
C、电阻R的大小
9、【单选题】题干:当通过电阻R的电流I一定时,电阻R消耗的电功率P与电阻R的大小成____。
A、反比
B、正比
C、不确定
10、【判断题】题干:直流电阻速测仪测量结束后,可以马上拆除试验接线。
A、正确
B、错误

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